IC China 2025：稀土技术与产业融合的风向标

稀土元素：半导体制造的 “工业维生素”

在化学周期表中，镧系元素与钇、钪组成的 17 种稀土元素，凭借 “微量优化材料性能” 的特性，被誉为 “工业维生素”。在半导体产业中，稀土贯穿设备制造、材料研发、先进工艺全链条，其作用不可替代。

设备级支撑：EUV 光刻机的晶圆台依赖钕铁硼（NdFeB）永磁体实现纳米级精度运动，单台设备需数十公斤稀土磁钢。光源系统中，钕掺杂钇铝石榴石（Nd:YAG）晶体用于辅助激光检测，而铽镓石榴石（TGG）晶体则是光学隔离器的核心材料。材料创新突破：氧化铈（CeO₂）抛光剂在化学机械抛光（CMP）中对 SiO₂的选择性去除率是传统磨料的 3 倍以上；氧化钇（Y₂O₃）涂层可将刻蚀机部件寿命延长 5 倍。先进制程关键：在 3nm 以下节点，镧掺杂的 HfO₂高 k 介质材料可降低晶体管阈值电压 20%，显著提升能效比。

中国稀土管制新政：重构全球半导体产业链格局

2025 年 10 月 9 日，中国商务部发布新规，对涉及 14nm 以下逻辑芯片、256 层以上存储芯片的稀土出口实施逐案审批，并首次将稀土二次资源回收技术纳入管制范围。此举直接冲击三星、SK 海力士等国际巨头的扩产计划，据测算可能导致全球高端芯片产能增速放缓 15%。与此同时，国内稀土产业链加速自主化：北方稀土的高性能钕铁硼磁钢已通过 ASML 认证，用于下一代高数值孔径 EUV 光刻机；有研稀土研发的氧化铕（Eu₂O₃）薄膜，实现与 CMOS 工艺兼容的硅基发光器件，打破国外在光电子集成领域的垄断。

IC China 2025：稀土技术与产业融合的风向标

作为中国半导体行业年度盛会， 第二十二届中国国际半导体博览会（IC China 2025） 将于 11 月 23-25 日在北京国家会议中心举办，首次设立 “稀土半导体材料与设备专区”，集中展示稀土在芯片制造各环节的创新应用。核心亮点前瞻：

1. 设备制造：中科院长春光机所将展示基于铥（Tm）激光器的 EUV 光源原型机，能效比现有 CO₂激光器提升 10 倍，预计 2027 年实现量产。
2. 材料创新：江西理工大学团队将发布全球首款掺钪（Sc）的氮化铝（AlN）压电薄膜，使 5G 射频滤波器性能提升 40%。
3. 先进工艺：中芯国际将演示稀土掺杂的高 k 介质在 2nm GAA 晶体管中的应用，漏电率较传统工艺降低 90%。
4. 循环经济：厦门钨业将展示稀土永磁体回收技术，实现镝（Dy）、铽（Tb）等中重稀土的闭环利用，成本较原矿开采降低 60%。

政策与产业联动：展会期间将举办 “稀土 - 半导体产业链协同发展论坛”，工信部相关负责人将解读最新管制政策，华为海思、长江存储等龙头企业将分享稀土材料的国产化替代进展。

未来趋势：稀土驱动半导体技术范式变革

1. 极紫外光刻突破：LLNL 的铥激光器若商业化，可使 EUV 光刻成本降低 70%，推动 2nm 以下制程普及。
2. 自旋电子学革命：掺铥（Tm）的稀磁半导体（DMS）将实现磁存储与逻辑运算的集成，存储密度较传统 MRAM 提升 10 倍。
3. 硅基光电集成：氧化铕（Eu₂O₃）薄膜与硅光子学的结合，有望催生低成本光通信模块，打破国外在光芯片领域的垄断。

稀土元素正从 “幕后” 走向 “台前”，成为半导体产业升级的关键变量。IC China 2025 作为产业风向标，将集中呈现稀土技术的最新突破与应用场景，为全球半导体从业者提供洞察未来的窗口。随着中国在稀土资源与技术领域的双重发力，一场由 “工业维生素” 驱动的科技革命正在悄然开启。展会信息速览

• 第二十二届中国国际半导体博览会（IC China 2025）
  

• 时间：2025 年 11 月 23-25 日

• 地点：北京・国家会议中心

• 展位预定：13810788214